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kri 考夫曼离子源 kdc 75
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kri 考夫曼离子源 kdc 75

kri 考夫曼离子源 kdc 75
上海伯东代理美国原装进口 kri 考夫曼离子源 kdc 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“cf法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 kdc 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,kdc 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 ma.
 

kri 考夫曼离子源 kdc 75 技术参数:

型号

kdc 75 / kdc 75l(低电流输出)

供电

dc magnetic confinement

 - 阴极灯丝

2

 - 阳极电压

0-100v dc

电子束

optibeam™

 - 栅极

专用, 自对准

 -栅极直径

7.5 cm

中和器

灯丝

电源控制

ksc 1212 或 ksc 1202

配置

-

 - 阴极中和器

filament, sidewinder filament  或lfn 2000

 - 安装

移动或快速法兰

 - 高度

7.9'

 - 直径

5.5'

 - 离子束

聚焦
平行
散设

 -加工材料

金属
电介质
半导体

 -工艺气体

惰性
活性
混合

 -安装距离

6-24”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架

kri 考夫曼离子源 kdc 75 应用领域:
溅镀和蒸发镀膜 pc
辅助镀膜(光学镀膜)ibad
表面改性, 激活 sm
离子溅射沉积和多层结构 ibsd
离子蚀刻 ibe

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